Numer produktu producenta:
TPHR9003NL,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPHR9003NL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
7302 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891363
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPHR9003NL,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6900 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPHR9003
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPHR9003NLL1QTR
TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR
TPHR9003NL,L1QTR
TPHR9003NLL1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR-DG
TPHR9003NLL1QDKR
TPHR9003NL,L1QCT-DG
TPHR9003NL,L1QTR-DG
TPHR9003NL,L1Q(M
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
TPH5200FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
TJ15P04M3,RQ(S
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
