Numer produktu producenta:
TK39A60W,S4VX
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK39A60W,S4VX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
47 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891375
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK39A60W,S4VX Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK39A60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX(M
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
TPC8110(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
