Numer produktu producenta:
DMN67D8LT-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN67D8LT-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 210mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Magazyn:
12891376
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN67D8LT-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
210mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
821 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
260mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-523
Pakiet / Walizka
SOT-523
Podstawowy numer produktu
DMN67
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMN67D8LT-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMN67D8LT-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC8110(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
2SK2866(F)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
