Numer produktu producenta:
T2N7002AK,LM
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
T2N7002AK,LM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
611252 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891382
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
T2N7002AK,LM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
17 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
320mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
T2N7002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK2866(F)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
