Numer produktu producenta:
TPH5200FNH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH5200FNH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
20159 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891368
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH5200FNH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH5200
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH5200FNHL1QDKR
TPH5200FNHL1QCT
TPH5200FNH,L1Q(M
TPH5200FNHL1QTR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TJ15P04M3,RQ(S
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
TK39A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
