Numer produktu producenta:
TPH8R903NL,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH8R903NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
3170 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890392
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH8R903NL,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH8R903
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH8R903NLLQCT
TPH8R903NLLQDKR
TPH8R903NLLQTR
TPH8R903NL,LQ(S
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
SSM3J35AFS,LF
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
