Numer produktu producenta:
DMG3415UFY4-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG3415UFY4-7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3
Magazyn:
12890402
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG3415UFY4-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
16 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
281.9 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN2015H4-3
Pakiet / Walizka
3-XFDFN
Podstawowy numer produktu
DMG3415
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMG3415UFY47
DMG3415UFY4-7DIDKR
DMG3415UFY4-7DICT
DMG3415UFY4-7DITR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMP2045UFY4-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2914
NUMER CZĘŚCI
DMP2045UFY4-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J35AFS,LF
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
TK5P53D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
