Numer produktu producenta:
SSM3J35AFS,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J35AFS,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM
Magazyn:
20404 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890403
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J35AFS,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.2V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
42 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SSM
Pakiet / Walizka
SC-75, SOT-416
Podstawowy numer produktu
SSM3J35
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J35AFSLF
SSM3J35AFSLF(B
SSM3J35AFSLFCT
SSM3J35AFSLFTR
SSM3J35AFSLFDKR
SSM3J35AFS,LF(B
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
TK5P53D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
SSM3J140TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM