Numer produktu producenta:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH1R712MD,L1Q-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
12171 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891359
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
r7Ku
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH1R712MD,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
182 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10900 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH1R712
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333