Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TK16E60W,S1VX
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK16E60W,S1VX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
39 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890768
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK16E60W,S1VX Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK16E60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
TK16E60W
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP28NM60ND
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
133
NUMER CZĘŚCI
STP28NM60ND-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.12
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFP18N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
300
NUMER CZĘŚCI
IXFP18N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.30
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP24N60DM2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
105
NUMER CZĘŚCI
STP24N60DM2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.48
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK16N60W,S1VF
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
30
NUMER CZĘŚCI
TK16N60W,S1VF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.71
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
IPP60R190E6XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1985
NUMER CZĘŚCI
IPP60R190E6XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.41
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
TPH1R403NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK