Numer produktu producenta:
STP28NM60ND
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP28NM60ND-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
133 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12876305
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP28NM60ND Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
FDmesh™ II
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2090 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP28
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-497-14196-5
497-14196-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL3P6F6
MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
STP11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
STB36N60M6
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK