Numer produktu producenta:
TK16N60W,S1VF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK16N60W,S1VF-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Magazyn:
30 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889805
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK16N60W,S1VF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
TK16N60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK16N60WS1VF
TK16N60W,S1VF(S
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK15A60U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
SSM6K361NU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK