Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TK10A80W,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK10A80W,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 9.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
49 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891533
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK10A80W,S4X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK10A80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
TK10A80W
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK10A80WS4X
TK10A80W,S4X(S
264-TK10A80W,S4X
TK10A80WS4X-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPA60R600P7SXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
689
NUMER CZĘŚCI
IPA60R600P7SXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.35
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STF14N80K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
859
NUMER CZĘŚCI
STF14N80K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.51
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SPA07N60C3XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
487
NUMER CZĘŚCI
SPA07N60C3XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.90
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STF8N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7
NUMER CZĘŚCI
STF8N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.19
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STF12N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
990
NUMER CZĘŚCI
STF12N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMG2302UQ-13
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMP2075UVT-13
MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
TK14C65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
DMP22M2UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8