Numer produktu producenta:
TK14C65W,S1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK14C65W,S1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12891548
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK14C65W,S1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
TK14C65
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q-DG
TK14C65WS1Q
TK14C65W,S1Q(S2
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI20N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1000
NUMER CZĘŚCI
STI20N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.27
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP22M2UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
TK560A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
DMT2004UPS-13
MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
