Numer produktu producenta:
IPA60R600P7SXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA60R600P7SXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Magazyn:
689 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12808531
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA60R600P7SXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
363 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
21W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA60R600
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001658294
ROCINFIPA60R600P7SXKSA1
2156-IPA60R600P7SXKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SYC0102BLT1G
SCR 0.25A GATE SCR
TP2104N3-G-P003
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
