Numer produktu producenta:
SSM6J53FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J53FE(TE85L,F)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Magazyn:
12890473
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J53FE(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 2.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
136mOhm @ 1A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.6 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
568 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Podstawowy numer produktu
SSM6J53
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J53FE(TE85LF)CT
SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
SSM6J53FE(TE85LF)DKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NTZS3151PT1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17660
NUMER CZĘŚCI
NTZS3151PT1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK040N65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 57A TO247
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
