Numer produktu producenta:
TK040N65Z,S1F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK040N65Z,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Magazyn:
90 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890476
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK040N65Z,S1F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
57A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.85mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6250 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
TK040N65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK040N65Z,S1F(S
TK040N65ZS1F
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
TPC8125,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
