Numer produktu producenta:
TPN22006NH,LQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPN22006NH,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Magazyn:
2900 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890482
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPN22006NH,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
710 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPN22006
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPN22006NHLQDKR
TPN22006NHLQCT
TPN22006NHLQTR
TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC8125,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
SSM3K2615R,LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
TPCA8102(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
