Numer produktu producenta:
SSM6J215FE(TE85L,F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J215FE(TE85L,F-DG
Opis:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Magazyn:
27 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889758
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J215FE(TE85L,F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Podstawowy numer produktu
SSM6J215
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J215FE(TE85LFDKR
SSM6J215FE(TE85LFCT
SSM6J215FE(TE85LFTR
SSM6J215FETE85LF
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J145TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3A UFM
TK3R1A04PL,S4X
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
