Numer produktu producenta:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM5H16TU,LF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Magazyn:
3515 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889779
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM5H16TU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
133mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
123 pF @ 15 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UFV
Pakiet / Walizka
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Podstawowy numer produktu
SSM5H16
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F