Numer produktu producenta:
2SK2231(TE16R1,NQ)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SK2231(TE16R1,NQ)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12889782
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SK2231(TE16R1,NQ) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
370 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
2SK2231
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2SK2231TE16RQTR
2SK2231 (TE16R1,NQ)
2SK2231TE16RQCT
2SK2231TE16RQDKR
2SK2231TE16R1NQ
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK25S06N1L,LQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1488
NUMER CZĘŚCI
TK25S06N1L,LQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.35
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
