Numer produktu producenta:
SSM3K35CT,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3K35CT,L3F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Magazyn:
33012 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889619
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3K35CT,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.2V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
CST3
Pakiet / Walizka
SC-101, SOT-883
Podstawowy numer produktu
SSM3K35
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3K35CTL3FTR
SSM3K35CT,L3F(B
SSM3K35CT,L3F(T
SSM3K35CTL3FDKR
SSM3K35CTL3FCT
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK16J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
2SJ438,MDKQ(M
MOSFET P-CH TO220NIS
TK35A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
