Numer produktu producenta:
2SJ360(F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SJ360(F)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Magazyn:
12889634
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SJ360(F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
155 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MINI
Pakiet / Walizka
TO-243AA
Podstawowy numer produktu
2SJ360
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
100
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS