Numer produktu producenta:
TK16J60W,S1VQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK16J60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Magazyn:
12889623
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK16J60W,S1VQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P(N)
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
TK16J60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK31J60W,S1VQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
25
NUMER CZĘŚCI
TK31J60W,S1VQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.32
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SJ438,MDKQ(M
MOSFET P-CH TO220NIS
TK35A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
2SJ360(F)
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
