Numer produktu producenta:
RN2971FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2971FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Magazyn:
12891090
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2971FE(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Moc - Max
100mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Podstawowy numer produktu
RN2971
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN2971FE(TE85LF)TR
RN2971FE(TE85LF)CT
RN2971FE(TE85LF)DKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
EMB4T2R
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
EMB4T2R-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
RN2111MFV,L3F
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7550
NUMER CZĘŚCI
RN2111MFV,L3F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN4990FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6