Numer produktu producenta:
EMB4T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
EMB4T2R-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Magazyn:
13522782
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
EMB4T2R Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
150mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
EMT6
Podstawowy numer produktu
EMB4T2
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RN2911FE(TE85L,F)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3975
NUMER CZĘŚCI
RN2911FE(TE85L,F)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
