Numer produktu producenta:
RN2111MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2111MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Magazyn:
7550 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891289
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2111MFV,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Moc - Max
150 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-723
Pakiet urządzeń dostawcy
VESM
Podstawowy numer produktu
RN2111
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-RN2111MFV,L3FTR
RN2111MFVL3F-DG
RN2111MFVL3F
264-RN2111MFV,L3FDKR
264-RN2111MFV,L3FCT
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DTA114TMT2L
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3120
NUMER CZĘŚCI
DTA114TMT2L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
