Numer produktu producenta:
2SJ610(TE16L1,NQ)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SJ610(TE16L1,NQ)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Szczegółowy opis:
P-Channel 250 V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12890656
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SJ610(TE16L1,NQ) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.55Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
381 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
2SJ610
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
