Numer produktu producenta:
TPN2010FNH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPN2010FNH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Magazyn:
1183 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890657
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPN2010FNH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
600 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPN2010
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPN2010FNHL1QCT
TPN2010FNHL1QTR
TPN2010FNH,L1Q(M
TPN2010FNHL1QDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
TK14A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
