Numer produktu producenta:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK14A65W,S5X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
19 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890663
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK14A65W,S5X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK14A65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCPF260N60E
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
190
NUMER CZĘŚCI
FCPF260N60E-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.76
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
