Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
STW24NM65N
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STW24NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12872702
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STW24NM65N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STW24N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
STx24NM65N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-497-7035-5
497-7035-5
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCH190N65F-F155
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
415
NUMER CZĘŚCI
FCH190N65F-F155-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.95
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPW65R150CFDFKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
154
NUMER CZĘŚCI
IPW65R150CFDFKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.14
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPW65R190C7XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
220
NUMER CZĘŚCI
IPW65R190C7XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.69
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK17N65W,S1F
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TK17N65W,S1F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.59
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SPW20N60C3FKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2123
NUMER CZĘŚCI
SPW20N60C3FKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.91
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STW15NB50
MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
STP8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
STB18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STFW42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT