Numer produktu producenta:
IPW65R190C7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPW65R190C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
220 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12805488
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPW65R190C7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IPW65R190
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPW65R190C7XKSA1
SP001080142
INFINFIPW65R190C7XKSA1
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRFB7437GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
