Numer produktu producenta:
SPW20N60C3FKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPW20N60C3FKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Magazyn:
2123 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12807451
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPW20N60C3FKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-1
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
SPW20N60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-DG
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-DG
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPU04N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
