Numer produktu producenta:
EM6K6T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
EM6K6T2R-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6
Magazyn:
13072 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13522941
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
EM6K6T2R Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
25pF @ 10V
Moc - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
EMT6
Podstawowy numer produktu
EM6K6
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
EM6K6T2RDKR
EM6K6T2RTR
EM6K6T2RCT
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
