Numer produktu producenta:
BSM120D12P2C005
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
BSM120D12P2C005-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
Magazyn:
13 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13523465
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSM120D12P2C005 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14000pF @ 10V
Moc - Max
780W
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
Module
Podstawowy numer produktu
BSM120
Karta katalogowa i dokumenty
Dokumenty dotyczące niezawodności
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
Q7641253
Pakiet Standard
12
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
