Numer produktu producenta:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
BSM180D12P2C101-DG
Opis:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Magazyn:
1 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13523041
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSM180D12P2C101 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
23000pF @ 10V
Moc - Max
1130W
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
Module
Podstawowy numer produktu
BSM180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
Q7641253A
Pakiet Standard
12
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
