FDD8782
Numer produktu producenta:

FDD8782

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDD8782-DG

Opis:

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Magazyn:

12850713
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDD8782 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1220 pF @ 13 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FDD878

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDD8782TR
FDD8782DKR
FDD8782CT
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
94138
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDH15N50

MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3

onsemi

FDD5810

MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

onsemi

FDMS7670AS

MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN

onsemi

FDN306P

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3