IPD090N03LGATMA1
Numer produktu producenta:

IPD090N03LGATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPD090N03LGATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Magazyn:

94138 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801029
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPD090N03LGATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD090

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGXT
IPD090N03LGINDKR
IPD090N03LGINDKR-DG
IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINTR-DG
IPD090N03LGINCT-DG
IPD090N03LGATMA1TR
INFINFIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1DKR
2156-IPD090N03LGATMA1
IPD090N03L G
IPD090N03LGINTR
SP000680636
IPD090N03LG
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPB80N06S2L06ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD5N25S3430ATMA1

MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3

infineon-technologies

BSP322PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

infineon-technologies

IPB65R190C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK