Numer produktu producenta:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Magazyn:
12801032
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP322PL6327HTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 380µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
372 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-4-21
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSP322PH6327XTSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3053
NUMER CZĘŚCI
BSP322PH6327XTSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.28
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3