IPB65R190C6ATMA1
Numer produktu producenta:

IPB65R190C6ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPB65R190C6ATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Magazyn:

12801035
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPB65R190C6ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB65R

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPB65R190C6DKR
IPB65R190C6-DG
IPB65R190C6CT-DG
IPB65R190C6ATMA1DKR
IPB65R190C6CT
IPB65R190C6ATMA1CT
IPB65R190C6
IPB65R190C6DKR-DG
IPB65R190C6TR-DG
IPB65R190C6ATMA1TR
IFEINFIPB65R190C6ATMA1
SP000863890
2156-IPB65R190C6ATMA1
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
STB20N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
845
NUMER CZĘŚCI
STB20N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.46
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1748
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.31
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB18N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STB18N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.32
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SIHB21N65EF-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
343
NUMER CZĘŚCI
SIHB21N65EF-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.21
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB24NM60N
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
949
NUMER CZĘŚCI
STB24NM60N-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.86
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPC60R190E6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPI35CN10N G

MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3

infineon-technologies

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

infineon-technologies

IPC60R160C6UNSAWNX6SA1

MOSFET N-CH BARE DIE