FDN306P
Numer produktu producenta:

FDN306P

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDN306P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Magazyn:

43445 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12850723
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDN306P Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1138 pF @ 6 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
FDN306

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDN306P_F095TR-DG
FDN306P_F095
FDN306P_F095CT-DG
FAIFSCFDN306P
FDN306PDKR
FDN306PCT
2156-FDN306P-OS
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095DKR
FDN306PF095
FDN306PTR
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095DKR-DG
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDD9411-F085

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

onsemi

FDPF79N15

MOSFET N-CH 150V 79A TO220F

onsemi

FCA16N60

MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

onsemi

FQPF18N50V2

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F