Numer produktu producenta:
IRF6785MTR1PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF6785MTR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Magazyn:
12802837
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF6785MTR1PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MZ
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric MZ
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF6785MTR1PBFTR
IRF6785MTR1PBFDKR
SP001574770
IRF6785MTR1PBFCT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF6785MTRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9600
NUMER CZĘŚCI
IRF6785MTRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.31
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4