Numer produktu producenta:
BSP372NH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSP372NH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Magazyn:
15063 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12802844
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP372NH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
329 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-4
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
BSP372
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001059326
BSP372NH6327XTSA1CT
BSP372NH6327XTSA1TR
BSP372NH6327XTSA1DKR
BSP372NH6327XTSA1-DG
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR120ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPP60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
