Numer produktu producenta:
IRFR120ZTRPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFR120ZTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Magazyn:
12134 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12802845
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
wTa2
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFR120ZTRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA (DPAK)
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IRFR120
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRFR120ZTRPBFDKR
SP001554998
IRFR120ZTRPBFCT
IRFR120ZTRPBFTR
IRFR120ZTRPBF-DG
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IPB160N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
