Numer produktu producenta:
IPDD60R102G7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPDD60R102G7XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Magazyn:
12803526
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPDD60R102G7XTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ G7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1320 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HDSOP-10-1
Pakiet / Walizka
10-PowerSOP Module
Podstawowy numer produktu
IPDD60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPDD60R102G7XTMA1TR
IPDD60R102G7
SP001632832
IPDD60R102G7XTMA1DKR
IPDD60R102G7XTMA1CT
Pakiet Standard
1,700
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB160N04S203ATMA4
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
