Numer produktu producenta:
IPB60R120P7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB60R120P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
2950 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803530
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB60R120P7ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
95W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB60R120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB60R120P7ATMA1-DG
IPB60R120P7ATMA1TR
2156-IPB60R120P7ATMA1
SP001664922
IPB60R120P7ATMA1DKR
IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1CT
IFEINFIPB60R120P7ATMA1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
IRFR3707
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK