Numer produktu producenta:
IPD80N06S3-09
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD80N06S3-09-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Magazyn:
12803531
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD80N06S3-09 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD80N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPD80N06S3-09-ITTR
SP000264473
INFINFIPD80N06S3-09
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STD65N55F3
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2240
NUMER CZĘŚCI
STD65N55F3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.93
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
IRFR3707
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
