Numer produktu producenta:
IPB017N08N5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB017N08N5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
1367 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801600
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB017N08N5ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
16900 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB017
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1CT
IFEINFIPB017N08N5ATMA1
SP001132472
IPB017N08N5ATMA1TR
IPB017N08N5ATMA1DKR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
