Numer produktu producenta:
BSR316PH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSR316PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC59-3
Magazyn:
14371 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801621
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSR316PH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
360mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 170µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
165 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SC59-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BSR316
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001101034
BSR316PH6327XTSA1-DG
2832-BSR316PH6327XTSA1
BSR316PH6327XTSA1CT
BSR316PH6327XTSA1TR
BSR316PH6327XTSA1DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
IPC70N04S5L4R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
