Numer produktu producenta:
BSS83PH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS83PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
107633 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801601
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS83PH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
330mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
78 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BSS83PH6327
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS83P H6327CT
BSS83PH6327XTSA1DKR
BSS83PH6327XTSA1TR
SP000702486
BSS83P H6327TR-DG
BSS83P H6327DKR
BSS83P H6327DKR-DG
BSS83P H6327
BSS83P H6327CT-DG
BSS83PH6327XTSA1CT
BSS83P H6327-DG
BSS83PH6327
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
